Traitement par plasma pour panneaux semi-conducteur grand format
StratoSPHERE™ & MesoSPHERE™

Caractéristiques techniques

• La conception et l’architecture de commande symétriques de la chambre F3 brevetées permettent des temps de cycle de plasma courts avec un faible surcoût et une excellente uniformité dans le process

• Système StratoSPHERE ™ avec sa conception modulaire permet une configuration à une ou deux chambres

• Rapidité pour changement de configuration Wafer 200m vers wafer 300mm, commandé via le logiciel

• Système MesoSPHERE est conçu pour des wafers 300mm, il prend en charge une large gamme de tailles de substrat jusqu’à 450*450mm avec un minimum de changement de matériel pour passer d’une taille de substrat à l’autre. Son robot transversal à deux bras de trois-axes permet un haut débit lors de la manipulation des substrats à partir de la plupart des types de cassettes d’indexation

• Évolution de la famille SPHERE pour des substrat jusqu’à 630*630mm